GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2194.89 грн |
| 10+ | 1980.81 грн |
| 25+ | 1663.02 грн |
| 100+ | 1576.9 грн |
| 250+ | 1530.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB05MPS33-263 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 14A, Supplier Device Package: TO-263-7, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V.
Інші пропозиції GB05MPS33-263
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||
| GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||
 |
GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; TO263-7; tube Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 3.3kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Max. forward voltage: 2.4V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
 |
GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 14A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V |
товар відсутній |
|
|
|
GB05MPS33-263 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 3.3kV; 5A; TO263-7; tube Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 3.3kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 40A Max. forward voltage: 2.4V |
товар відсутній |