GC11N65K

GC11N65K Goford Semiconductor


GOFORD-GC11N65K.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.66 грн
10+ 88.15 грн
100+ 70.18 грн
500+ 55.73 грн
1000+ 47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC11N65K Goford Semiconductor

Description: N650V,RD(MAX).

Інші пропозиції GC11N65K за ціною від 41.84 грн до 50.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GC11N65K Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-GC11N65K.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.3 грн
15000+ 46.41 грн
30000+ 41.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GC11N65K GC11N65K Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній