на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 258.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 44nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GC2X5MPS12-247 за ціною від 272.61 грн до 566.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Max. load current: 10A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 40A Max. forward voltage: 1.5V |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 44nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Max. load current: 10A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 40A Max. forward voltage: 1.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
GC2X5MPS12-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V |
товар відсутній |