GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 959.26 грн |
| 10+ | 837.31 грн |
| 25+ | 809.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GC50MPS06-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GC50MPS06-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
GC50MPS06-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
|
 |
GC50MPS06-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
товар відсутній |