GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 387.1 грн |
| 10+ | 340.12 грн |
| 30+ | 282.4 грн |
| 120+ | 263.04 грн |
| 270+ | 251.02 грн |
| 510+ | 243.01 грн |
| 1020+ | 234.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD05MPS17H за ціною від 274.99 грн до 491.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD05MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD05MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 157 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|