GD25PJY120L3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD25PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 252 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3156.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD25PJY120L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.7 V, 252 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 252W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GD25PJY120L3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
GD25PJY120L3S Код товару: 194449 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
| GD25PJY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: L3.0 Pulsed collector current: 50A Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| GD25PJY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Case: L3.0 Pulsed collector current: 50A Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT |
товар відсутній |