GD25Q20ESIGR

GD25Q20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited


2023__Gde.pdf Виробник: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description: 2MBIT, 3.3V, SOP8 208MIL, INDUST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256K x 8
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.88 грн
25+ 25.85 грн
50+ 24.14 грн
100+ 21.44 грн
250+ 21.17 грн
500+ 20.51 грн
1000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD25Q20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Description: 2MBIT, 3.3V, SOP8 208MIL, INDUST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Access Time: 7 ns, Memory Organization: 256K x 8.

Інші пропозиції GD25Q20ESIGR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GD25Q20ESIGR GD25Q20ESIGR Виробник : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 2023__Gde.pdf Description: 2MBIT, 3.3V, SOP8 208MIL, INDUST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
GD25Q20ESIGR GD25Q20ESIGR Виробник : GigaDevice gd25q20c_v1_8_20181204-1668154.pdf NOR Flash
товар відсутній