Продукція > SEMIQ > GHXS030A120S-D1E
GHXS030A120S-D1E

GHXS030A120S-D1E SemiQ


GHXS030A120S-D1E.pdf Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3416.7 грн
10+ 2931.66 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS030A120S-D1E SemiQ

Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 30 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GHXS030A120S-D1E за ціною від 5862.08 грн до 7779.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E Виробник : SemiQ GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7779.13 грн
10+ 7271.53 грн
30+ 6228.08 грн
100+ 5975 грн
250+ 5862.08 грн