Продукція > GANPOWER > GPI65010DF56
GPI65010DF56

GPI65010DF56 GaNPower


GPI65010DF56_V2.2.pdf Виробник: GaNPower
Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GPI65010DF56 GaNPower

Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7.5V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GPI65010DF56

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GPI65010DF56
Код товару: 190207
GPI65010DF56_V2.2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній