Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFP1080
GSFP1080

GSFP1080 Good-Ark Semiconductor

GSFP1080.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.77 грн
10+ 60.64 грн
25+ 57.55 грн
100+ 44.39 грн
250+ 41.49 грн
500+ 36.66 грн
1000+ 28.47 грн
2500+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFP1080 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 105W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GSFP1080

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GSFP1080 GSFP1080 Виробник : Good-Ark Semiconductor GSFP1080.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товар відсутній