GSFT06150

GSFT06150 Good-Ark Semiconductor


GSFT06150.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+43.29 грн
1600+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFT06150 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V.

Інші пропозиції GSFT06150 за ціною від 44.27 грн до 75.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GSFT06150 GSFT06150 Виробник : Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.11 грн
10+ 64.68 грн
25+ 61.42 грн
100+ 47.36 грн
250+ 44.27 грн
Мінімальне замовлення: 4