Продукція > TOSHIBA > GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

GT30J121(Q) TOSHIBA

GT30J121.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.13 грн
3+ 196.01 грн
6+ 143.56 грн
16+ 135.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT30J121(Q) TOSHIBA

Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns, Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 170 W.

Інші пропозиції GT30J121(Q) за ціною від 127.22 грн до 280.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121 Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.37 грн
10+ 202.43 грн
25+ 191.35 грн
100+ 155.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba GT30J121_datasheet_en_20061101-1916002.pdf IGBT Transistors 600V/30A DIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235 грн
10+ 195.83 грн
50+ 163.66 грн
100+ 141.79 грн
300+ 133.18 грн
500+ 127.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : TOSHIBA GT30J121.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+280.96 грн
3+ 244.26 грн
6+ 172.27 грн
16+ 163.16 грн
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Виробник : Toshiba gt30j121_en_datasheet_061101.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Sack
товар відсутній