Технічний опис HAT2195R-EL-E HIT
Description: HAT2195R - N Channel MOSFET High, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції HAT2195R-EL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HAT2195RELE | Виробник : RENESAS |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| HAT2195R-EL-E | Виробник : RENESAS | 04+ |
на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HAT2195R-EL-E | Виробник : RENESAS | 06+ |
на замовлення 16090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HAT2195R-EL-E | Виробник : RENESAS | 09+ |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HAT2195R-EL-E | Виробник : Renesas |
Description: HAT2195R - N Channel MOSFET High Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 10 V |
товар відсутній |