IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 119.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm.
Інші пропозиції IAUC120N04S6L005ATMA1 за ціною від 82.06 грн до 202.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm |
на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC120N04S6L005ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 435A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A Technology: OptiMOS™ 6 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 0.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 177nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 1550A кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC120N04S6L005ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L005ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A Technology: OptiMOS™ 6 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A On-state resistance: 0.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 177nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 1550A |
товар відсутній |