IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 398.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDWD15G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 49A, Supplier Device Package: PG-TO247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDWD15G120C5XKSA1 за ціною від 362.02 грн до 795.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 43440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IDWD15G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; 200W; TO247-2 Case: TO247-2 Mounting: THT Power dissipation: 200W Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 170A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC |
товар відсутній |