IKB20N65EH5ATMA1

IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.04 грн
10+ 161.22 грн
100+ 130.45 грн
500+ 108.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns, Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IKB20N65EH5ATMA1 за ціною від 94.32 грн до 283.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.12 грн
10+ 177.22 грн
25+ 145.47 грн
100+ 124.88 грн
250+ 118.24 грн
500+ 110.27 грн
1000+ 94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.22 грн
5+ 197.89 грн
6+ 151.53 грн
15+ 143.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+283.46 грн
5+ 246.61 грн
6+ 181.84 грн
15+ 171.88 грн
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikb20n65eh5-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT
товар відсутній
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKB20N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1338f54917 Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній