IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 171.55 грн |
| 2000+ | 155.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IMBF170R1K0M1XTMA1 за ціною від 177.36 грн до 507.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-13 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. |
на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IMBF170R1K0M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. |
товар відсутній |