Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e77323159f Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+724.3 грн
10+ 598.11 грн
100+ 498.4 грн
500+ 412.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 183W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMBG65R048M1HXTMA1 за ціною від 486.9 грн до 771.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R048M1H_DataSheet_v02_00_EN-2942436.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+771.87 грн
10+ 670.7 грн
25+ 567.28 грн
50+ 535.39 грн
100+ 504.17 грн
250+ 488.89 грн
500+ 486.9 грн
IMBG65R048M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r048m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005539172
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r048m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r048m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1 IMBG65R048M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e77323159f Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
товар відсутній