IPA60R099C7XKSA1

IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPA60R099C7XKSA1 за ціною від 183.34 грн до 447.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd68760b06999 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.58 грн
10+ 312.75 грн
100+ 252.99 грн
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R099C7_DataSheet_v02_01_EN-3362397.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.83 грн
10+ 342.23 грн
25+ 280.98 грн
100+ 241.13 грн
250+ 237.8 грн
500+ 201.93 грн
1000+ 183.34 грн
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+417.56 грн
10+ 348.82 грн
25+ 326.5 грн
100+ 268.14 грн
250+ 244.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+444.52 грн
29+ 402.42 грн
100+ 334.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+447.51 грн
32+ 373.85 грн
34+ 349.92 грн
100+ 287.38 грн
250+ 261.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099c7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R099C7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній