IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 691 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	171.73 грн
10+	137.21 грн
100+	109.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPB015N06NF2SATMA1 за ціною від 71.74 грн до 185.99 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IPB015N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 185.99 грн 10+  152.02 грн 100+  104.95 грн 250+  96.98 грн 500+  88.35 грн 800+  75.06 грн 2400+  71.74 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IPB015N06NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V	товар відсутній	купити