IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.38 грн |
| 10+ | 168.56 грн |
| 100+ | 136.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB019N08NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 166, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: TBC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8, euEccn: TBC, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IPB019N08NF2SATMA1 за ціною від 79.05 грн до 238.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: TBC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 euEccn: TBC Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005571690 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 166 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: TBC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8 euEccn: TBC Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPB019N08NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V |
товар відсутній |