IPB055N08NF2SATMA1

IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.12 грн
10+ 93.96 грн
100+ 74.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH 40.

Інші пропозиції IPB055N08NF2SATMA1 за ціною від 40.14 грн до 127.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB055N08NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3084803.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.87 грн
10+ 105.42 грн
100+ 73.07 грн
250+ 69.75 грн
500+ 60.58 грн
800+ 49.29 грн
4800+ 47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb055n08nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf SP005571702
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товар відсутній