IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies


Infineon_I45P03P4L_11_DS_v01_00_en-3163189.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.56 грн
10+ 138.2 грн
100+ 96.8 грн
500+ 79.45 грн
1000+ 65.49 грн
2000+ 60.69 грн
5000+ 58.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB45P03P4L11ATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB45P03P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i45p03p4l-11_ds_10.pdf Power MOSFET Transistor
товар відсутній
IPB45P03P4L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-I45P03P4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ee39732802 Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній