IPP04N03LA INFINEON


IPI04N03LA%2C%20IPP04N03LA.pdf Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP04N03LA INFINEON

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPP04N03LA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP04N03LA IPP04N03LA Виробник : Infineon Technologies IPI04N03LA%2C%20IPP04N03LA.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
товар відсутній