Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP052N06L3GXKSA1
IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPP052N06L3GXKSA1 за ціною від 53.28 грн до 116.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.65 грн
10+ 64.35 грн
15+ 56.05 грн
40+ 53.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.54 грн
10+ 77.22 грн
15+ 67.26 грн
40+ 63.93 грн
250+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+102.49 грн
115+ 102.08 грн
139+ 83.95 грн
500+ 68.4 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+104.78 грн
122+ 95.66 грн
150+ 77.81 грн
200+ 70.17 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 55.3 грн
Мінімальне замовлення: 112
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+116.57 грн
10+ 95.61 грн
50+ 95.22 грн
100+ 75.52 грн
500+ 59.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товар відсутній
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B052N06L3_DS_v02_04_en-1731963.pdf MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товар відсутній