IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 649.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R037C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPW65R037C6FKSA1 за ціною від 643.66 грн до 1225.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IPW65R037C6FKSA1 Код товару: 180225 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Polarisation: unipolar Drain current: 83.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 37mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Power dissipation: 500W Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPW65R037C6FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Polarisation: unipolar Drain current: 83.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 37mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Power dissipation: 500W Technology: CoolMOS™ |
товар відсутній |