на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.86 грн |
| 10+ | 388.06 грн |
| 25+ | 322.17 грн |
| 100+ | 273.01 грн |
| 240+ | 260.39 грн |
| 480+ | 204.59 грн |
| 1200+ | 197.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPW65R115CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPW65R115CFD7AXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||
 |
IPW65R115CFD7AXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V |
товар відсутній |