IQDH45N04LM6ATMA1

IQDH45N04LM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IQDH45N04LM6_DataSheet_v02_00_EN-3367069.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.39 грн
10+ 241.39 грн
25+ 197.95 грн
100+ 170.05 грн
250+ 160.09 грн
500+ 150.79 грн
1000+ 128.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IQDH45N04LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH .

Інші пропозиції IQDH45N04LM6ATMA1 за ціною від 119.86 грн до 272.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IQDH45N04LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45a2d3240298 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.33 грн
10+ 220.24 грн
100+ 178.21 грн
500+ 148.66 грн
1000+ 127.29 грн
2000+ 119.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IQDH45N04LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45a2d3240298 TRENCH <= 40V
товар відсутній
IQDH45N04LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IQDH45N04LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a45a2d3240298 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 637A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1.449mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній