Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8788TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm.

Інші пропозиції IRF8788TRPBF за ціною від 27.15 грн до 89.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+45.19 грн
262+ 44.55 грн
283+ 41.22 грн
289+ 38.85 грн
500+ 33.86 грн
1000+ 29.67 грн
3000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 258
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+45.66 грн
14+ 41.96 грн
25+ 41.37 грн
100+ 36.91 грн
250+ 33.4 грн
500+ 30.18 грн
1000+ 27.55 грн
3000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.81 грн
500+ 41.45 грн
1000+ 30.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-3363144.pdf MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.73 грн
10+ 56.6 грн
100+ 41.18 грн
500+ 36.73 грн
1000+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.37 грн
13+ 60.66 грн
100+ 48.81 грн
500+ 41.45 грн
1000+ 30.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+78.1 грн
210+ 55.59 грн
258+ 45.21 грн
276+ 40.79 грн
500+ 37.6 грн
1000+ 33.76 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.1 грн
10+ 69.95 грн
100+ 54.44 грн
500+ 43.31 грн
1000+ 35.28 грн
2000+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній