IRFI840G Siliconix


91161.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI840G Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFI840G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFI840G IRFI840G Виробник : Vishay 91161.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
IRFI840G IRFI840G Виробник : Vishay Siliconix 91161.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFI840G IRFI840G Виробник : Vishay / Siliconix 91161.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI840GPBF
товар відсутній