на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU220PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Можливі заміни IRFU220PBF Vishay
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU220B Код товару: 185591 |
Виробник : Fairchild |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-251 Uds,V: 200 V Idd,A: 2,9 A Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/12 Монтаж: THT |
у наявності: 95 шт
|
|
Інші пропозиції IRFU220PBF за ціною від 21.4 грн до 77.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 538 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFU220PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFU220PBF (IR) Код товару: 94411 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 260/14 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
|
IRFU220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |