ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET

на замовлення 4930 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	252.64 грн
10+	208.54 грн
25+	172.04 грн
100+	146.8 грн
250+	138.83 грн
500+	130.86 грн
1000+	111.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції ISC015N06NM5LF2ATMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	ISC015N06NM5LF2ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити
	ISC015N06NM5LF2ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V	товар відсутній	купити