IXFB210N30P3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2078.76 грн |
| 10+ | 1778.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB210N30P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFB210N30P3 за ціною від 1406.23 грн до 2201.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB210N30P3 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.89kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFB210N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 268nC Technology: HiPerFET™; Polar3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS264™ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFB210N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 210A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 268nC Technology: HiPerFET™; Polar3™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS264™ |
товар відсутній |