IXFB62N80Q3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.56kW
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.56kW
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2243.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFB62N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 1560W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFB62N80Q3 за ціною від 2133.6 грн до 3073.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFB62N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 0.14Ω Drain current: 62A Drain-source voltage: 800V Power dissipation: 1.56kW Reverse recovery time: 300ns Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC Technology: HiPerFET™; Q3-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFB62N80Q3 | Виробник : IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFB62N80Q3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
товар відсутній |
||||||||||
IXFB62N80Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 1560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
товар відсутній |