IXGA24N120C3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Case: TO263
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 430ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
Gate charge: 79nC
Technology: GenX3™; PT
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA24N120C3 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263, Case: TO263, Pulsed collector current: 96A, Turn-on time: 51ns, Turn-off time: 430ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Kind of package: tube, Gate charge: 79nC, Technology: GenX3™; PT, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGA24N120C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 48A 250W TO263 |
товар відсутній |
|
 |
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 40khz PT IGBTs Power Device |
товар відсутній |
|
|
|
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263 Case: TO263 Pulsed collector current: 96A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 430ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Kind of package: tube Gate charge: 79nC Technology: GenX3™; PT Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A |
товар відсутній |