Продукція > IXYS > IXGK120N120A3
IXGK120N120A3

IXGK120N120A3 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_120n120a3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2530.73 грн
25+ 2020.59 грн
100+ 1894.3 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGK120N120A3 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 240A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 (IXGK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns, Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off), Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXGK120N120A3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_120n120a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 Виробник : IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 Виробник : IXYS media-3323055.pdf IGBT Transistors 120 Amps 1200V
товар відсутній
IXGK120N120A3 IXGK120N120A3 Виробник : IXYS IXGK(x)120N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mounting: THT
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
товар відсутній