на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 156.25 грн |
| 5000+ | 150.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JFE2140DR Texas Instruments
Description: JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: 2 N-Channel (Dual), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Current Drain (Id) - Max: 50 mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 µA.
Інші пропозиції JFE2140DR за ціною від 146.14 грн до 316.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
 Description: JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 µA |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
JFET Dual, ultra-low noise, low-gate-current audio N-channel JFET 8-SOIC -40 to 125 |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
ІМС підсилювач на JFET транзисторах, SO8, Ultra-low-noise, 0.9 nV/Hz at 1 kHz, low-gate-current, audio, N-channel JFET |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
JFE2140DR Код товару: 186116 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans JFET N-CH 40V 50mA 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans JFET N-CH 40V 50mA 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
Trans JFET N-CH 40V 50mA 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
JFE2140DR | Виробник : Texas Instruments |
Description: JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 0.1 µA |
товар відсутній |