JTDB25 Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.5dB
Power - Max: 97W
Current - Collector (Ic) (Max): 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz
Supplier Device Package: 55AW-1
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JTDB25 Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW-1, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.5dB, Power - Max: 97W, Current - Collector (Ic) (Max): 5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW-1.
Інші пропозиції JTDB25
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JTDB25 | Виробник : Microsemi |
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor |
товар відсутній |