Технічний опис LGD8205ATI Littelfuse
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 350V; 20A; 125W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 350V, Collector current: 20A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Application: automotive industry; ignition systems, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції LGD8205ATI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LGD8205ATI | Виробник : LITTELFUSE |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 350V; 20A; 125W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: automotive industry; ignition systems кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
| LGD8205ATI | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: IGBT 390V 20A 125W DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
товар відсутній |
||
| LGD8205ATI | Виробник : Littelfuse | Littelfuse DPAK, IGBT4 |
товар відсутній |
||
| LGD8205ATI | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 350V; 20A; 125W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: automotive industry; ignition systems |
товар відсутній |