LGD8209TI LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSECategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; ignition systems
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Power dissipation: 94W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Collector-emitter voltage: 410V
Gate-emitter voltage: ±15V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGD8209TI LITTELFUSE
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; ignition systems, Mounting: SMD, Case: DPAK, Kind of package: reel; tape, Application: ignition systems, Power dissipation: 94W, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Collector-emitter voltage: 410V, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 12A, Pulsed collector current: 30A, Type of transistor: IGBT, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції LGD8209TI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LGD8209TI | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; ignition systems Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Power dissipation: 94W Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Collector-emitter voltage: 410V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 12A Pulsed collector current: 30A Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |