LGE2300
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 1.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2300 LGE
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції LGE2300
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
LGE2300 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
|
|
|
LGE2300 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |