LGE2305
Виробник: LGE
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2305 LGE
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23, Mounting: SMD, On-state resistance: 75mΩ, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 7.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -4.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції LGE2305
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
LGE2305 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.7W Gate charge: 7.8nC Polarisation: unipolar Drain current: -4.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
|
|
LGE2305 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.7W Gate charge: 7.8nC Polarisation: unipolar Drain current: -4.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 |
товар відсутній |