LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC


LGE3D20120H.pdf Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Max. load current: 100A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 130A, Max. forward voltage: 2V, Leakage current: 50µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3D20120H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
LGE3D20120H Виробник : LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Max. load current: 100A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 2V
Leakage current: 50µA
товар відсутній