LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 134W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 14A, Pulsed drain current: 48A, Power dissipation: 134W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 0.285Ω, Mounting: THT, Gate charge: 43nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGE3M160120B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LGE3M160120B | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 14A; Idm: 48A; 134W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 14A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |