MCB130N10Y-TP

MCB130N10Y-TP Micro Commercial Co


Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6124.6 pF @ 50 V
на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+81.13 грн
1600+ 66.29 грн
2400+ 62.97 грн
5600+ 56.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCB130N10Y-TP Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6124.6 pF @ 50 V.

Інші пропозиції MCB130N10Y-TP за ціною від 58.92 грн до 158.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCB130N10Y-TP MCB130N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Co Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6124.6 pF @ 50 V
на замовлення 32912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.15 грн
10+ 116.04 грн
100+ 92.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCB130N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCB130N10Y_D2PAK_-2511062.pdf MOSFET N-Ch 100Vds 20Vgs 130A 192W 100Vdss
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.09 грн
10+ 129.1 грн
100+ 89.67 грн
250+ 85.69 грн
500+ 75.06 грн
800+ 60.85 грн
4800+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCB130N10Y-TP MCB130N10Y-TP Виробник : Micro Commercial Components mcb130n10yd2pak.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній