на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5943.23 грн |
| 10+ | 5565.75 грн |
| 20+ | 4711.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB20P1200LB-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Technology: SiC, Case: SMPD-B, Mounting: SMD, On-state resistance: 98mΩ, Kind of package: tube, Gate charge: 62nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Semiconductor structure: double series, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCB20P1200LB-TUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB20P1200LB-TUB | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET SiC 1.2KV 9-Pin SMPD Tube |
товар відсутній |
||
 |
MCB20P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Technology: SiC Case: SMPD-B Mounting: SMD On-state resistance: 98mΩ Kind of package: tube Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A Type of transistor: N-MOSFET Semiconductor structure: double series Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
MCB20P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Technology: SiC Case: SMPD-B Mounting: SMD On-state resistance: 98mΩ Kind of package: tube Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A Type of transistor: N-MOSFET Semiconductor structure: double series Polarisation: unipolar |
товар відсутній |