на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10627.13 грн |
| 10+ | 9696.91 грн |
| 20+ | 8256.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB30P1200LB-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 38A, Case: SMPD-B, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 52mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 115nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: double series, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCB30P1200LB-TUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB30P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 38A Case: SMPD-B Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MCB30P1200LB-TUB | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 38A; SMPD-B Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 38A Case: SMPD-B Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: double series |
товар відсутній |