MCD132-14io1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk
Type of module: diode-thyristor
Kind of package: bulk
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Threshold on-voltage: 0.8V
Case: Y4-M6
Max. off-state voltage: 1.4kV
Max. load current: 300A
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/200mA
Max. forward impulse current: 4.75kA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCD132-14io1 IXYS
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk, Type of module: diode-thyristor, Kind of package: bulk, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Threshold on-voltage: 0.8V, Case: Y4-M6, Max. off-state voltage: 1.4kV, Max. load current: 300A, Max. forward voltage: 1.08V, Load current: 130A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 150/200mA, Max. forward impulse current: 4.75kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCD132-14io1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCD132-14io1 | Виробник : IXYS |
Description: MOD THYRISTOR/DIODE 1400V Y4-M6 |
товар відсутній |
||
 |
MCD132-14io1 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 132 Amps 1400V |
товар відсутній |
|
| MCD132-14io1 | Виробник : IXYS |
Category: Diode - thyristor modules Description: Module: diode-thyristor; 1.4kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk Type of module: diode-thyristor Kind of package: bulk Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Threshold on-voltage: 0.8V Case: Y4-M6 Max. off-state voltage: 1.4kV Max. load current: 300A Max. forward voltage: 1.08V Load current: 130A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/200mA Max. forward impulse current: 4.75kA |
товар відсутній |