Продукція > IXYS > MCNA120UI2200PED

MCNA120UI2200PED IXYS

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Case: E2-Pack
Type of module: IGBT
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCNA120UI2200PED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Case: E2-Pack, Type of module: IGBT, Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 80A, Pulsed collector current: 150A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MCNA120UI2200PED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCNA120UI2200PED Виробник : IXYS Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR E2-P
товар відсутній
MCNA120UI2200PED MCNA120UI2200PED Виробник : IXYS media-3321791.pdf Discrete Semiconductor Modules SCR E2PK 2.2KV 120A MODULE
товар відсутній
MCNA120UI2200PED Виробник : IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Case: E2-Pack
Type of module: IGBT
Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 150A
товар відсутній