MD300HFR120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
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Anzahl der Pins: -Pin(s)
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
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| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 54259.66 грн |
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Технічний опис MD300HFR120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.
Інші пропозиції MD300HFR120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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| MD300HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm On-state resistance: 7.5mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Drain current: 300A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
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| MD300HFR120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 300A; C2 62mm; Idm: 1.096kA Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm On-state resistance: 7.5mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Drain current: 300A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 1.096kA |
товар відсутній |